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三星电子二季度稳坐闪存芯片市场第一的份额（图）
据韩国媒体报道，全球闪存市场巨头三星电子第二季度的市场份额仍稳居第一宝座。
因日本特大地震，三星与亚军东芝之间的差距进一步拉大，相差12.3个百分点。第一季度屈居第四的海力士，到第二季度甩开美光（Micron），夺回了季军。而闪存现货价格（Spot Price）近两个月里滑落平均10%以上，创下了29个月以来的最低值。
半导体市场调研机构“DRAMeXchange”3日表示，第二季度闪存市场规模环比减少9%，达48.8亿美元，其中三星电子的市场份额达40.1%（19.59亿美元）。其后依次是东芝（13.57亿，27.8%）、海力士（6.37亿，13.1%）、美光（5.52亿美元，11.3%）。
虽然韩国企业在全球闪存市场上的表现良好，但闪存价格大幅下跌。最具代表性的闪存产品“16Gb 2Gx8 MLC”7月下旬的平均现货价格为2.74美元，比5月下旬的3.12美元下跌12.2%。这是自2009年2月下旬（2.89美元）后的最低值。其他64Gb、32Gb、8Gb产品价格也都出现了下滑，两个月里分别下跌13.1%、9.9%和26.3%。
第一季度三星电子和东芝的市场份额差距只有1.1个百分点，而受到日本地震影响，第二季度东芝的市场份额环比下滑7.3个百分点。第二季度，三星电子和东芝的市场份额差距达12.3个百分点。此外，第一季度海力士以10.7%的份额名列第四，但到第二季度，市场份额环比提高2.4个百分点，赶超美光，夺回了第三名。
半导体可谓是打造三星的一等功臣，三星电子的半导体发展史是企业的冒险挑战精神、董事会的决策、快速的掌握技术能力以及把握市场动向的敏锐洞察力融汇于一体的结果。
三星集团创始人李秉哲不顾公司众人反对，毅然决然地于1983年在日本东京正式开始进军半导体行业。对此他曾经表示，三星符合韩国缺乏资源的自然条件，只有开发高附加值、技术含量高的产品才能实现企业的第二次飞跃。 在此后的10个月内，三星电子在世界上第三个推出64K DRAM，这在国内外经济界引起强烈反响。然而，日后由于半导体价格暴跌，企业在事业之初陷入困境。
尽管如此，三星的存储器半导体依然取得了长足的发展，1992年率先开发成功64M DRAM，终于在世界上确保了最强的技术实力；1993年如愿以偿地荣登存储器半导体世界第一的宝座。此后于1994年和1996年连续开发成功256M和1G DRAM，这同样拥有‘世界最先开发’的荣耀，这样，半导体逐渐成为韩国具有代表性的产业。2002年NAND Flash位居世界榜首；2006年与2007年分别在世界上率先研制成功50纳米级DRAM和30纳米级NAND等，三星电子在存储器领域的占有率超过30%，成为业界的强者。
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