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东芝采用DDR接口 正式推出24nm工艺eMMC闪存芯片
目前东芝公司已经成功出样8GB, 16GB, 32GB以及64GB 24nm e-MMC芯片,量产预计将会从3季度开始。
日本东芝公司正式推出了新系列24nmeMMC闪存芯片。新的NAND闪存芯片主要面向的是嵌入式应用,由于使用了双数据接口,因此将可以带来更加出色的随机存取和连续数据存取性能。由于使用的是全新的24nm工艺,因此新芯片体积将变得更小,同时价格也得到了明显下降。
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND正被证明极具吸引力。
东芝eMMC NAND闪存芯片采用的是toggle-mode DDR接口,主要面向的是嵌入式产品,容量从2G至128G不等,并且完全符合JEDEC e-MMC 4.41标准。
JEDEC的主要功能包括术语、定义、产品特征描述与操作、测试方法、生产支持功能、产品质量与可靠性、机械外形、固态存储器、DRAM、闪存卡及模块、以及射频识别(RFID)标签等的确定与标准化。此外,JEDEC 还管理着一项服务,为分离固态产品生产商根据一个类型指导系统进行产品注册。 JEDEC成立于1958年,作为电子产业协会联盟(EIA)的一部分,为新兴的半导体产业制定标准。1999年,JEDEC成为一家独立协会,并更名为:JEDEC固态技术协会。促进开放性、易获取、并能迅速完成的自愿标准的制定依然是JEDEC的核心业务。JEDEC委员会在广泛的技术领域领导着产业标准制定,包括同其他组织联合制定标准。
JEDEC的标准制定程序使生产商与供应商齐聚一堂,通过50个委员会和分委员会来完成制定标准的使命,以满足多样化的产业发展与技术需要。JEDEC拥有近300家会员公司,包括业内几乎所有前100家公司。
东芝全新系列24nm e-MMC产品可将最高128G NAND闪存和e-MMC共同封装,同时东芝公司也成为了目前第一家成功将16片64Gbit核心封装于同一个e-MMC ,达到128G容量。同时通过先进的工艺以及布线技术使得芯片的厚度只有30微米。
东芝24nm e-MMC工艺将可以带来更低的成本,更高的存储容量,更高的性能以及更小的封装尺寸,所有这些使得该芯片能够更好得满足当前智能手机,平板电脑以及电子阅读器、数码摄像头、打印机、服务器以及POS等产品的需求。
东芝通讯内存产品部业务拓展经理Scott Beekman表示:“使用了我们最新的toggle-mode DDR NAND,是使得我们的eMMC产品获得更高性能,变得更小以及封装变得更薄的关键所在。比如我们的128GB e-MMC产品可以使用14x18封装,这将获得很多应用的支持。”
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