半个月前曾有单条4G内存将跌破100元（相关文章：单条4G或将跌破100）的消息流出，不过近期的内存行情并未向我们预计的那样发展。就在大家一片看跌的时候，本周内存价格悄悄出现了反弹，并且连续四天上扬近10%。纵观2011年，跌一直都是内存价格的关键词，单条2G从年初的150元到如今的75元，跌幅已然100%。来到9月份内存价格的跌势却逐渐放缓，更似乎有企稳之势，内存价格难道真的是到了跌无可跌的地步吗？

根据集邦调查显示，由于近期买气回暖，从8月23日开始内存颗粒价格开始小幅上涨，随后一周再次进行下行区间。随着开学临近学生返校，学生装机潮拉动内存需求，同时9月10-12日的中秋假期重叠，更是原本低迷的内存市场拉至一个小高峰。

内存现货价全线上涨

受到日系以及多家台系内存颗粒厂商的减产效应影响，现货市场陆续出现价格反弹走势，价格上扬虽不过短短数天，但已显现供应端减产效应所带动的价格支撑，让低迷已久的现货价格出现反弹的契机。目前以DDR3 2Gb颗粒来计算，内存颗粒单价的合约价同现货价差价已经缩小至12%，DRAM厂莫不冀望能借着旺季需求，把这波现货价格的反弹反应至合约市场中，终止严峻的合约价格走势。

影响因素一：厂商减产自救初现成效

　　日本大厂尔必达近日宣布，因应日圆兑美元汇率攀升，近年来DRAM价格急速下跌，该公司面临严苛经营环境，考虑将日本广岛工厂部分产能，分阶段转移到成本竞争力较高的台湾子公司瑞晶电子生产力晶8日宣布PC DRAM投片量将减少50%，减产幅度约4万片，总产能减产幅度约30%。南亚科也传出减产幅度扩大至20%，而华亚科也加入减产行列，整体减少产能约5~10%，减少部分主要是南亚科的产能。

　　这一系列的厂商减产直接导致了库存消化回补，带动DRAM价格跌深反弹。不仅如此，DRAM现货价回升，合约价跌幅趋缓，令各大内存颗粒厂商的股价也相继涨停。台系DRAM厂制程工艺落后率先减产，面临经营困境，产能转移有助降低成本，对消化库存也有帮助；在市场不景气，技术转型期间减少产能，有助DRAM市况供给改善。

　　但仔细分析就能发现，这次减产风波涉及的厂商多为台系厂商，生产工艺多为40-60nm，生产成本早已高过DDR3 2GB合约价最低10.5美元价位，减产势在必行。而三星和海力士拥有20-30nm的制程工艺，在2季度仍有盈利率，相对其他竞争对手都出现大规模赤字，这两家企业都表示没有减产。

影响因素之二：内存更新换代 2G DDR3-1333抬价离场

　　能否优先导入先进制程已经成为各内存厂家获利关键，从早期一个制程技术可以沿用一年甚至两年的周期，转为现今一年横跨两个制程技术，时至今日，各厂仍积极转进40nm甚至30nm制程，虽然每一个制程技术可以较前代技术增加20%-30%产出量，但提升良率的稳定度却日益困难，40nm制程质量问题频传，一再挑战DRAM厂30nm制程后的研发技术能力。

　　三星预计20nm制程预计下半年正式导入量产，30nm良率亦达到成熟稳定的阶段，成本上的优势亦让三星暂无任何减产的考虑，持续扩大DRAM产业市占率的目标不变。因此在最新的内存厂家营收榜单上三星位居榜首。

　　但30nm的内存条却迟迟不能在市场上普及，究其原因无非市面上的40-60nm的内存（多为DDR3-1333内存）存货依旧很多，要先清完市场上的存货，为新工艺产品让路。但之前的降价，让高价囤货的商家无利可图，因此在40-60nm内存退市前，利用减产新闻带来的影响，抬高内存价格缓和损失。

　　总结：所以综合来看，这一波内存涨价的成因无非以上两点。技术落后的内存颗粒厂家试图通过减产来改善市场内的供求关系，前段时间高价囤货的商家经过低价抄底后试图在抬高价格降低损失，均是人为控制或者炒作所致。因此作为普通消费者，完全没有必要为这种行为买单。

　　最后补上一条消息，三星已经在日本秋叶原出货8GB单条内存，而部分Intel主板已经支持单条8G内存。主流单条内存容量恐怕是要从2G、4G进化成4G、8G了，可见2G内存最后的日子亦不多矣。

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